EUV 등 첨단 기술 적용 확대·미국 테일러 공장 인프라 구축 투자 등
삼성전자가 지난해 53조1000억원 규모의 시설 투자를 집행한 것으로 나타났다.
31일 삼성전자는 지난해 4분기 실적발표를 공시했다. 이와 함께 시설 투자와 관련한 내용도 정리해 발표했다.
4분기 시설 투자는 20조2000억원이 집행됐다. 사업별로는 △DS 18조8000억원 △SDC 4000억원 수준이다. 연간으로는 53조1000억원이 집행됐고 △DS 47조9000억원 △SDC 2조5000억원이다.
메모리의 경우 평택 3, 4기 인프라와 미래 경쟁력 강화를 위한 EUV 등 첨단 기술 적용 확대, 차세대 연구 개발 인프라 확보를 위한 투자를 중심으로 이뤄졌다.
파운드리는 평택 첨단 공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 3나노 초기 생산 능력과 미국 테일러 공장 인프라 구축에 투자를 집중했다.
SDC는 중소형 플렉시블 생산 능력 확대와 인프라 투자에 집중했다.
한편, 삼성전자는 지난해 4분기 매출은 70조4646억원, 영업이익은 4조3061억원을 기록했다.
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