"기술 리더십 강화"…삼성·SK하이닉스, 차세대 D램 개발 경쟁 '활활'

송고 2024.09.02 11:05 | 수정 2024.09.02 11:05
EBN 권영석 기자 (yskwon@ebn.co.kr)

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발

AI패권 달린 'D램', 성능·효율 높이기 업계 사활

ⓒ각 사 제공

인공지능(AI) 등 미래 첨단 산업에 핵심인 메모리 D램 시장의 차세대 제품 개발에 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁이 치열해지는 모양새다.

10나노미터(㎚·10억분의 1미터)급 최신 D램을 둘러싸고 메모리 반도체 '양강' 체제를 구축한 양사는 미세화 공정 수준의 변화를 통해 성능·효율을 높이는데 공을 들이고 있다.

2일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) D램 개발을 발표하며 시장 선점을, 삼성전자는 한발 빠른 양산으로 반격을 꾀하고 있다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 알파벳 기호를 붙여 세대를 구분 짓는다. 1c는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)를 잇는 차세대 공정 기술인 의미다.

SK하이닉스는 연내 6세대 미세공정을 적용한 16Gb(기가바이트) DDR5 D램 양산 준비를 마치고 내년부터 제품 공급에 들어갈 예정이다. 그간 10나노급 차세대 공정 기술 개발에서 삼성전자보다 뒷쳐졌지만, 점차 차이를 좁히다가 6세대에서 처음으로 개발을 먼저 완료한 것이다. SK하이닉스는 이번 6세대 개발을 통해 D램 시장에서 승부를 보겠다는 의지를 보인 셈이다.

특히 SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄일 수 있었다는 게 회사 측 기술진의 설명이다.

또 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다.

반도체는 크기가 작아질수록 성능·효율이 높아지는 특성이 있어 업계에선 초미세 공정 개발 경쟁에 사활을 걸고 있다.

SK하이닉스 측은 "AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것"이라고 설명했다.

삼성전자의 경우 이미 연내 1c D램을 양산할 계획이라고 전한 바 있다. 양산 시점은 내년 양산을 예고한 SK하이닉스보다 빠를 수도 있다는 관측이 나온다.

회사 측은 지난 3월 미국에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 올해 안에 10나노급 6세대 D램 양산을 시작하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 또 삼성전자는 멤콘에서 10나노급 7세대 제품을 2026년께 양산하고, 2027년 이후 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램 생산에 도전하겠다는 로드맵도 제시했다.

한편 이재용 삼성전자 회장은 지난 4월 독일 오버코헨에 위치한 자이스(ZEISS) 본사를 방문해 EUV(극자외선) 노광장비를 적용한 1c D램 양산 등에 대한 양사 협력 강화 방안을 논의한 바 있다.

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