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SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 건설 9.4조원 투입…"AI 수요 적기 대응"

  • 송고 2024.07.26 16:41 | 수정 2024.07.26 16:46
  • EBN 김채린 기자 (zmf007@ebn.co.kr)

용인 1기 팹과 클러스터 초기 운영 필요 부대시설 건설 투자 확정

“용인 클러스터로 韓반도체 산업 경쟁력 높이고 경제 활성화 기여”

SK하이닉스 이천 사업장 전경 ⓒSK하이닉스

SK하이닉스 이천 사업장 전경 ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 26일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4000억원을 투자하기로 전격 결정했다고 밝혔다.


이날 SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획"이라며 "이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것이다”고 설명했다.


이어 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 부연했다.


경기도 용인 원삼면 일대 415만m2 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.


SK하이닉스는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 계획이다.


이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다.


SK하이닉스는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.


또 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원한다.


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