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삼성전자, 매년 팹 신설 목표…반도체 혹한기 대비

  • 송고 2022.11.17 08:50 | 수정 2022.11.17 08:50
  • EBN 이남석 기자 (leens0319@ebn.co.kr)

싱가포르 투자자포럼에서 사업 전략 공개

삼성전자 평택캠퍼스ⓒ삼성전자

삼성전자 평택캠퍼스ⓒ삼성전자

삼성전자가 반도체 혹한기에 대비하기 위해 공격적인 투자에 나선다.


매년 새로운 팹(Fab·공장)을 하나씩 신설해 파운드리 시장의 영향력을 높이는 동시에 '컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)'를 중심으로 D램 수요를 창출해 나가겠다는 목표다.


삼성전자는 지난해 5월 업계 최초로 차세대 인터페이스 '컴퓨트 익스프레스 링크' 기반의 D램 메모리 기술을 개발하고 메모리 부문에서의 존재감을 높였다.


삼성전자는 최근 싱가포르에서 진행한 투자자포럼에서 이와 같은 사업 전략을 공개했다.


클린룸을 우선 짓고 수요에 따라 추가 설비를 도입해 시장점유율을 높이겠다는 계획으로 궁극적으로는 현재 파운드리 생산 능력을 기존의 3.4배로 늘린다는 방침이다.


특히 메모리 부문에서는 CXL D램·3D IC D램·메모리 애즈 어 서비스 등 3개 분야를 중심으로 신사업 전략을 세워 나가겠다는 청사진도 제시했다.


심상필 삼성전자 파운드리 부사장은 "수요가 많은 만큼 공격적으로 팹을 확대해나갈 계획"이라고 말했다.


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