삼성전자, 올해 26조원 투자…사상 최대

송고 2010.05.17 14:20 | 수정 2010.05.17 16:47
박영국 기자 (24pyk@ebn.co.kr)

반도체, 메모리 16라인 건설·15라인 증설·시스템LSI 강화에 11조 투자

LCD, 월 7만장 규모 8-2 2단계 LCD 신규라인 등에 5조 투자

삼성전자 임원들이 반도체 16라인 기공식에서 첫 삽을 뜨고 있다. 왼쪽부터 권오현 사장(반도체사업부장), 이건희 회장, 최지성 사장, 이재용 부사장, 윤주화 사장(경영지원실장), 정칠희 부사장

삼성전자가 올해 반도체 등 시설투자와 R&D투자에 사상 최대 규모인 26조원의 투자를 단행한다.

이건희 회장은 17일 ´화성사업장 메모리 16라인 기공식´에서 "세계경제가 불확실하고 경영여건 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이런 시기일수록 투자를 늘리고 인력도 많이 뽑아 글로벌 사업기회를 선점해야 한다"고 말했다.

이 회장은 아울러 "이는 그룹에도 성장의 기회가 오고 우리 경제 성장에도 도움이 되는 것"이라며 과감한 투자확대를 강조했다.

삼성전자는 올해 반도체 11조원, LCD 5조원 등 시설투자와 R&D 투자 8조원을 포함해 총 26조원 규모의 투자계획을 수립했다. 이는 연간 사상 최대 규모이며, 기존 연간 최대규모였던 2008년(14조원)의 두 배에 육박하는 수준.

회사 측은 이처럼 과감한 투자에 나서는 것에 대해 올 들어 글로벌 IT 경기가 호조를 보이고 있는 상황에서 적극적인 투자로 IT 시장의 주도권을 더욱 강화하기 위한 것이라고 설명했다.

또, 글로벌 경기의 불확실성에도 불구하고 대규모 투자를 통해 우리 경제의 성장을 뒷받침하겠다는 의지의 표현이라고 덧붙였다.

반도체 부문의 경우 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규 16라인 건설과, 30나노 D램 양산을 위한 15라인 생산능력 확대를 위해 메모리 반도체 투자를 당초 계획한 5조5천억원에서 9조원대로 확대할 계획이다.

총 48만평 규모의 화성캠퍼스 가운데 현재 가동 중인 31만평을 제외한 17만평 부지에 들어서는 16라인은 2011년부터 본격 가동에 들어가 12인치 웨이퍼로 월 20만매 이상을 생산하게 된다.

삼성전자는 지난 2005년 15라인 건설 이후 시황 침체로 반도체 신규라인 건설을 미뤄 왔으며, 이번에 5년 만에 재개하게 됐다.

이번에 기공식을 가진 16라인은 완공까지 단계적으로 총 12조원 규모를 투자할 계획이며, 이를 통해 명실상부하게 메모리분야에서 선도적 리더십을 굳힌다는 방침이다.

또, 15라인의 생산능력 확대를 통해 올해 말까지 30나노급 D램 생산비중을 10% 이상으로 확대해 저전력·고성능 D램 공급 확대 요구에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.

시스템LSI 분야에서도 45나노 이하 공정을 적용하는 모바일, D-TV 등 SOC 사업과 파운드리 사업 강화를 위해 2조원대 투자를 추진해 고객들의 공급 확대 요구에 대응해 나갈 계획이다.

이로써 삼성전자는 올해 메모리 9조원과 시스템 LSI 2조원 등 반도체 분야에만 11조원을 투자할 계획이다.

LCD패널 부문의 경우 2011년 이후 대형 LCD TV용 패널 수요 증가에 대비, 총 2조5천억원을 투자, 유리기판 투입 기준 월 7만장 규모의 8세대 LCD 신규라인(8-2 2단계)을 탕정사업장에 건설하기로 했다.

이번 8세대 신규 라인에 대한 추가투자 결정으로 삼성전자는 총 4개의 8세대 라인을 확보하게 되며, 올해 투자 규모를 총 5조원으로 확대할 계획이다.

한편, 삼성전자는 이번 신규라인 투자 등을 통해 반도체 3천명, LCD 4천명 등 총 1만명 정도 신규 채용할 예정이다.

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