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SK키파운드리, 4세대 BCD 공정 출시… "전력용 반도체 기술 강화"

  • 송고 2024.09.11 15:53 | 수정 2024.09.12 06:38
  • EBN 김채린 기자 (zmf007@ebn.co.kr)

차량용 전력반도체 지원..."다분야 사업 확대할 것"

SK키파운드리 ⓒSK키파운드리

SK키파운드리 ⓒSK키파운드리

SK키파운드리는 모바일 및 전력 반도체 성능을 향상시킬 수 있도록 개선된 4세대 0.18㎛(마이크로미터) BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다.


이날 이동재 SK키파운드리 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.


SK키파운드리의 4세대 공정은 기존 3세대 대비 성능이 20% 향상됐으며, 3.3V(볼트), 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자를 제공한다.


서버 및 노트북용 전력반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 차저, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용할 수 있는 것이 특징이다.


특히 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125도 고온 환경에서 집적회로(IC) 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 1등급을 만족했다.


또 굵은 인터 메탈 다이얼렉트릭(Thick IMD) 옵션 제공을 통해 1만5000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터제품 설계도 가능하다.


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