삼성전자, 세계최대 규모 메모리 16라인 가동

송고 2011.09.22 09:59 | 수정 2011.09.22 10:06
이경아 기자 (leelala@ebn.co.kr)

세계 최초 20나노급 D램도 양산 시작

삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 또 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작했다.

삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ´메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산´ 행사를 개최한다고 발표했다.

이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 나카가와 유타카 소니 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석한다.

지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.

올해 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다.

이 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

삼성전자는 최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에 다양한 제품을 안정적으로 공급할 수 있게 됨으로써 반도체 선두업체로서 더욱 차별화된 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 이와 함께 이 날 세계 최초로 20나노급 2Gb D램 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다.

20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.

삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.

한편 이건희 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 이 날 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어, 가동식까지 참석할 예정으로써 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 드러냈다.

이 회장은 지난해 5월 메모리 16라인 기공식에 참석해 "지금 세계 경제가 불확실하고 경영 여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이러한 시기에 투자와 인력을 늘려 글로벌 사업기회를 선점해야 삼성에도 기회가 오고 우리나라 경제에도 도움이 될 것"이라고 말했었다.

이 회장은 또한 지난 8월 반도체 사장단과의 오찬에서 "D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 시장 리더십을 지켜야 한다"고 강조한 바 있다.

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