머크, '세미콘코리아 2019'서 차세대 반도체 칩용 소재·솔루션 전시

송고 2019.01.23 17:31 | 수정 2019.01.23 17:32
이경은 기자 (veritas@ebn.co.kr)

반도체 DSA, EUV 기술에 필요한 소재 솔루션 선봬

머크가 23일부터 사흘간 서울 코엑스에서 열리는 '세미콘 코리아 2019'에서 차세대 반도체 칩을 위한 소재와 솔루션을 전시한다. 왼쪽부터 글렌 영 한국 머크 대표와 아난드 남비아 머크 반도체 솔루션 사업 부문 대표ⓒ머크

머크가 23일부터 사흘간 서울 코엑스에서 열리는 '세미콘 코리아 2019'에서 차세대 반도체 칩을 위한 소재와 솔루션을 전시한다.

머크는 이번에 차세대 리소그래피를 지원하는 DSA, EUV 기술에 필요한 소재 솔루션을 선보인다.

블록공중합체(BCP)를 이용한 화학 기반 솔루션은 반도체 업계의 획기적 혁신으로 이는 소재의 자기 조립을 유도해 사전에 정의된 패턴을 형성하는 기술이다. 다수의 공정이 수반되는 기존의 리소그래피 기술과 비교하면 DSA 기술은 작업 집약도가 크고 비용 증가를 억제할 수 있어 나노급 반도체를 비용 효율적으로 양산하는 데 장점이 된다.

현재 다수의 반도체 업체가 이 기술을 양산 적용하기 위해 시험적으로 평가하고 있다. 머크의 이러한 기술은 반도체 제조 공정을 근본적으로 바꾸고 차세대 패터닝 기술의 발전을 가속화할 것으로 기대된다.

EUV(극자외선) 리소그래피 공정은 나노급 제조의 한계를 넓힌 또 하나의 첨단기술이다. 머크는 FIRM® 세정액 소재의 주요 공급처이며 이 소재는 KrF, ArF 및i-ArF 리소그래피 공정에서 포토레지스트 패턴 붕괴를 개선해 준다. 머크는 미래형 반도체 제조를 위해 지난해 말 전세계에서 EUV 공정에 필요한 상용 FIRM® 세정액 제품을 출시했다.

또한 머크는 이번 전시회에서 첨단 소재도 선보인다. 스핀필(Spinfil®) 스핀-온 유전체 소재는 트랜지스터 내부에 공간이 협소한 절연층을 형성하는 데 쓰인다. 하드마스크로 사용되는 어드밴스드 리소그래피 소재인 KrF 후막 포토레지스트는 3D 낸드의 계단식 구조를 가능하게 한다.

금속산화물 하드마스크(MHM)는 평탄화, 갭 필링, 식각 선택비, 습식 박리 공정을 지원하는 데 뛰어나다. 이는 로직 소자뿐만 아니라 D램과 3D 낸드와 같은 메모리 소자에도 적용되는 새로운 소재로, 로직 소자의 경우 회로 선폭 5nm 이하급에도 응용할 수 있다. 회로 선폭이 줄면 트랜지스터를 더 작게 만들어 크기는 작으면서 속도는 빠르고 에너지 효율성이 높은 반도체칩을 만들 수 있다.

아난드 남비아 머크 반도체 솔루션 사업 부문 대표는 "고객 중심은 머크의 핵심 가치로써 머크는 더욱 강화된 고객 지원 노력에 집중하고 있다"며 "머크는 유도자기조립(DSA)과 선택적 증착과 같은 신기술을 연구하고 있고, 머크의 전도성 페이스트 소재는 기존의 인터커넥트 소재와 비교해 흥미로운 가치를 제시한다"고 피력했다.

글렌 영 한국 머크 대표는 "머크가 추구하는 것은 스마트하고 비용 효율적인 소재 솔루션으로, 기존의 고비용 리소그래피 공정을 보완해 반도체 업계가 칩 미세화에서 더욱 발전할 수 있도록 지원하는 것"이라고 강조했다.

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머크, '세미콘코리아 2019'서 차세대 반도체 칩용 소재·솔루션 전시

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