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삼성전자, '파운드리 포럼 2018' 개최…3나노 로드맵 발표

7나노 LPP 올해 시험생산·2019년 생산 목표
3나노 공정, MBCFET 적용 게이트 컨트롤 성능 향상

최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

등록 : 2018-05-23 09:25

▲ 정은승 삼성전자 파운드리사업부장이 22일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2018'에서 공정 로드맵을 발표하고 있다.ⓒ삼성전자

삼성전자는 22일(현지시간) 미국 산타 클라라 메리어트호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2018(Samsung Foundry Forum 2018)'을 개최했다.

포럼에서 삼성전자는 파운드리 사업전략과 첨단 공정 로드맵, 응용처별 솔루션에 대해 발표했다.

삼성 파운드리 포럼 2018은 팹리스 업계 고객사, 파트너사, 애널리스트 등 약 500명이 참석한 가운데 진행됐다. 포럼에서는 매년 확장되는 파운드리 시장 규모와 차별화된 기술력을 바탕으로 향후 파운드리 사업의 비전을 제시했다.

삼성전자는 주력 양산 공정인 14/10나노 공정과 EUV(극자외선노광장비)를 활용한 7·5·4나노 공정과 더불어 새롭게 3나노 공정 로드맵도 공개했다.

7나노 LPP(Low Power Plus) 공정은 EUV를 적용한 최초의 로직 공정으로 2018년 하반기 시험생산, 2019년 상반기 생산을 목표로 개발 중이다. 5나노LPE(Low Power Early)는 스마트 스케일링으로 7나노 대비 면적과 전력을 축소했다. 4LPE 및 LPP 공정은 핀펫 구조를 적용한 마지막 공정이다.

3나노 공정은 핀펫구조의 크기 축소와 성능 향상 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자 독자 브랜드 'MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET)'으로 게이트 컨트롤 성능이 대폭 향상된 게 특징이다.

더불어 향후 광범위한 첨단 공정 개발과 설계 인프라, SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)의 지속 확장에 대해 발표했다.

삼성전자 파운드리 사업부 배영창 부사장은 "지난 한 해 EUV를 적용한 포트폴리오를 강화하는데 주력해왔다"며 "향후 GAA구조를 차세대 공정에 적용함으로써 단순한 기술 리더십을 선도할 뿐만 아니라 좀 더 스마트하며 기기 간의 연결성을 강화한 새로운 시대를 열어갈 수 있으리라 기대한다"고 말했다.

삼성 파운드리 포럼 2018은 이번 미국 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨으로 이어질 예정이다.