삼성전자는 26일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜을 갖고 "D램 생산라인인 11라인의 일부를 이미지센서 생산라인으로 전환한 후 최근 13라인도 전환한다는 일부 언론보도가 있지만 결정된 바 없다"고 밝혔다.
삼성전자는 "기본적으로 화성은 D램, 평택은 V낸드가 중심이고 평택 상층부 일부에서 10나노급 D램을 생산할 것"이라며 "평택에서의 D램 생산은 일부 캐파의 CIS라인 전환, 공정 전환에서 발생하는 비트 손실을 보완하는 수준"이라고 답했다.
©(주) EBN 무단전재 및 재배포 금지
서울미디어홀딩스
패밀리미디어 실시간 뉴스