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[컨콜] 삼성전자 "평택 공장 상층 일부 D램 증설에 활용"

  • 송고 2017.10.31 11:11 | 수정 2017.10.31 11:11
  • 최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

삼성전자는 31일 2017년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "D램 10나노급 공정전환과 11라인 일부 캐파를 CIS로 전환하면서 비트 손실을 보완하기 위한 투자가 필요한 상황"이라며 "화성 낸드플래시 캐파 일부를 D램으로 전환하는 과정에서 비효율 발생이 불가피해 전환규모를 축소하고 평택 상층 공간 일부를 D램 증설에 활용할 계획"이라고 말했다.


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