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삼성전자, 올해만 세번째 파운드리 포럼…공정 개발 속도

14나노 파생공정 11나노 및 EUV 활용 7나노 공정 추가
1위 TSMC와 격차 좁히기 목표…"일부 첨단 기술 앞서있다"

최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

등록 : 2017-09-14 10:28

▲ 삼성전자가 오는 15일 일본에서 열리는 파운드리포럼에서 11나노LPP 공정과 EUV를 활용한 7나노 공정개발 계획을 발표한다. 사진은 지난 7월 열린 파운드리포럼 코리아 모습.ⓒ삼성전자

삼성전자가 올해 세번째 파운드리 포럼을 개최하며 비메모리반도체 사업 확장에 박차를 가하고 있다. 포럼 개최와 함께 삼성전자는 11나노LPP 공정을 추가했으며 7나노 공정 개발 로드맵을 공유할 예정이다.

14일 관련업계에 따르면 삼성전자는 오는 15일 일본에서 올해 세번째 파운드리 포럼을 개최한다.

삼성전자는 파운드리 고객 및 사업 파트너들과 기술 방향을 공유하며 협력관계를 강화하기 위해 지난해부터 한국과 미국, 중국에서 파운드리 포럼을 개최해왔다. 올해에도 미국과 한국에 이어 일본 도쿄에서 파운드리 포럼을 개최하며 기존 공정 로드맵과 더불어 새롭게 추가된 11나노 공정과 7나노 공정의 개발 현황을 발표할 예정이다.

◆11나노 신공정·EUV 활용 7나노 2018년 생산 착수

삼성전자는 14나노에서 파생된 11나노 신규 공정(11LPP. Low Pewer Plus)을 추가하며 포트폴리오를 강화했다.

11LPP는 14나노 공정의 안정성과 설계 환경을 기반으로 한다. 14LPP와 동일한 소비 전력에서 성능은 최대 15% 향상됐으며 칩 면적은 최대 10% 줄어들었다. 11LPP 공정은 내년 상반기 생산에 착수할 계획이다.

11나노공정으로 삼성전자는 플래그십용 뿐만 아니라 중·고급형 스마트폰 프로세서 시장에도 진출한다.

2018년 하반기에는 EUV(극자외선노광장비)를 이용한 7나노 공정 생산에 착수하는 게 목표다. 삼성전자는 2014년부터 20만장에 이르는 웨이퍼에 EUV를 적용해 공정을 개발 중이다. 파운드리 공정 양산 완성도를 나타내는 척도인 SRAM의 수율 80%를 확보하는 등 가시적인 성과를 거두고 있다.

◆1차 목표 파운드리업계 독보적 2위…

삼성전자는 2005년 기흥 S1라인을 준공하며 파운드리사업을 시작했다. 2009년에 설립한 반도체연구소에서는 메모리와 시스템LSI 부문의 연구를 동시에 하며 양산에 적용하는 성과를 거뒀다.

실례로 2011년에 하이케이메탈게이트(HKMG, 누설전류를 줄일 수 있도록 신물질이 적용된 공정)를 파운드리업계 최초로 도입하고 2015년에 도입한 핀펫공정은 현재 '반도체 기술의 꽃'으로 불린다.

이어 지난 5월 시스템LSI사업부 내 팀으로 조직됐던 파운드리사업을 사업부로 독립시키면서 사업 확대를 선언했다. 비메모리반도체는 삼성전자가 강자로 군림하고 있는 메모리반도체보다 시장이 넓고 방대하다. 메모리반도체 대비 다품종 소량생산이 이뤄지며 그만큼 다양한 포트폴리오를 제공할 수 있는게 중요 역량으로 꼽힌다.

삼성전자는 현재 대만의 TSMC가 시장의 절반을 점유하는 파운드리업계에서 독보적 2위 자리까지 올라가는 게 1차 목표다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 마케팅팀 상무는 "TSMC가 매출 1위지만 삼성전자도 첨단 노드나 FD-SOI 등 특화된 기술에서 경쟁업체 대비 앞서있다"며 "11나노와 7나노 공정으로 14, 11, 10, 8, 7나노에이르는 로드맵을 완성했다"고 말했다.